商品の詳細:
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製品名: | SiCの基質、SiCの半導体ウエハー | フル ネーム: | 炭化ケイ素の水晶基質 |
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化学式: | SiC | 等級1: | 生産の等級 |
等級2: | 研究の等級 | 等級3: | 模造の等級 |
汚染: | どれも | サイズ: | 10のmm X 10のmm (+/- 1mm) |
ハイライト: | 半導体ウエハー10 mm X 10のmm,SiCのウエファー10 mm X 10のmm,SiCの半導体ウエハー |
優秀な熱機械特性SiCの基質SiCの半導体ウエハー
炭化ケイ素(SiC)のウエファーはますます一度ケイ素によって支配された見つけられた半導体デバイスである。研究者は利点がシリコンの薄片に装置を基づかせていたSiCの半導体デバイスが下記のものを含んでいることが分った:
特性:
項目 | 2インチ4H Nタイプ | ||
直径 | 2inch (50.8mm) | ||
厚さ | 350+/-25um | ||
オリエンテーション | ± 0.5˚の方の軸線 <1120> 4.0˚を離れて | ||
第一次平らなオリエンテーション | <1-100> ± 5° | ||
二次平たい箱 オリエンテーション |
第一次平らな± 5.0˚、上向きSiからの90.0˚ CW | ||
第一次平らな長さ | 16 ± 2.0 | ||
二次平らな長さ | 8 ± 2.0 | ||
等級 | 生産の等級(p) | 研究の等級(r) | 模造の等級(d) |
抵抗 | 0.015~0.028 Ω·cm | < 0=""> | < 0=""> |
Micropipe密度 | ≤ 1 micropipes/cmの² | ≤ 1 0micropipes/cmの² | ≤ 30 micropipes/cmの² |
表面の粗さ | Siの表面CMPのRA <0> | N/A、使用可能な区域> 75% | |
TTV | < 8="" um=""> | < 10um=""> | < 15="" um=""> |
弓 | <> | <> | <> |
ゆがみ | < 15="" um=""> | < 20="" um=""> | < 25="" um=""> |
ひび | どれも | 累積長さの≤ 3つのmm 端 |
累積長さ≤10mm、 単一 長さの≤ 2mm |
傷 | 累積≤ 3の傷 長さ < 1=""> | 累積≤ 5の傷 長さ < 2=""> | 累積≤ 10の傷 長さ < 5=""> |
六角形の版 | 最高6版、 <100um> | 最高12版、 <300um> | N/A、使用可能な区域> 75% |
Polytype区域 | どれも | 累積区域の≤ 5% | 累積区域の≤ 10% |
汚染 | どれも |
利点:
1.High滑らかさ
2.High格子一致(MCT)
3.Low転位密度
4.High赤外線伝送
プロダクト打撃:
FAQ:
1.Q:工場製造業者であるか。
:はい、私達はscintillator水晶工業の経験13年のの製造業者で、良質およびサービスを多くの有名なブランドに供給した。
2.Q:あなたの主要な市場はどこにあるか。
:ヨーロッパ、アメリカ、アジア。
コンタクトパーソン: Ivan. wang
電話番号: 18964119345